Неравновесный перенос заряда в мезоскопических сверхпроводящих структурах
Понятие многократных
андреевских отражений является универсальной основой объяснения природы
диссипативного тока в различных типах джозефсоновских контактов. В рамках этого
подхода мы изучаем вольтамперные характеристики планарного многоканального
SNINS контакта, моделирующего джозефсоновских полевой транзистор (JOFET) с
нормальным (N) 2D электронным газом, который соединяет сверхпроводящие (S)
электроды и управляется электростатическим гейтом, играющим роль туннельного
барьера (I). Мы полагаем, что резонансные особенности постоянного тока связаны
с позициями андреевских уровней, которые, таким образом, могут быть измерены в
эксперименте.
Мы изучаем динамику центров проскальзывания
фазы (PSC) и линий (PSL) в сверхпроводящих проводах и пленках с помощью
численного моделирования на основе полных нестационарных уравнений
Гинзбурга-Ландау (TDGLE) для сверхпроводников с энергетической щелью в спектре.
Мы интересуемся процессом возникновения многих PSC, а также выяснением природы
избыточного тока и его отношением к усредненному сверхпроводящему току через
ядро PSC. Наша будущая цель состоит в том, чтобы проверить результаты
асимптотического анализа Ивлева-Копнина уравнений TDGLE и исследовать роль
дефектов и граничных условий на электродах.