Квантовый размерный эффект и эффекты квантовой интерференции
Квантовый размерный эффект и эффекты слабой локализации в тонких пленках
· Выполнены
приоритетные экспериментальные исследования квантового размерного эффекта в
проводимости тонких пленок висмута [1], сурьмы [2]
и их сплавов [3], олова
[4], а также в сверхпроводящих пленках олова
[5].
· Выполнены
первые наблюдения эффектов слабой локализации и взаимодействия электронов в
пленках висмута
[6], сурьмы [7]; показана
возможность разделения вкладов эффектов слабой локализации и взаимодействия
[8]. Выявлена связь между сильным спин-орбитальным взаимодействием и градиентом потенциала вблизи поверхности металла
[9, 10].
1. Комник Ю.Ф., Бухштаб
Е.И.,
Наблюдение квантового и классического размерных эффектов в поликристаллических тонких пленках висмута // ЖЭТФ, 54,
63-68 (1968).
2. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И., Обнаружение квантовых осцилляций проводимости в тонких пленках сурьмы // Письма в ЖЭТФ, 6,
536-540 (1967).
3. Бухштаб Е.И., Никитин Ю.В., Комник
Ю.Ф., Квантовый размерный эффект в пленках сплава висмут-сурьма // ФНТ, 3,
755-761 (1977).
4. Komnik Yu.F., Buckhshtab
E.I., Nikitin Yu.V. and Chuprinin F.I., Sulkowski C., Space quantization in thin tin films // Thin Solid Films, 11,
1, 43-51, (1972).
5. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И., Маньковский
К.К., Квантовый размерный эффект в сверхпроводящих пленках олова // ЖЭТФ, 57,
1495-1504 (1969).
6. Комник Ю.Ф., Бухштаб Е.И., Бутенко
А.В., Андриевский В.В., Локализационные эффекты в пленках висмута в слабом магнитном поле // ФНТ, 8,
1289-1293 (1982).
7. Бутенко А.В., Бухштаб Е.И., Комник
Ю.Ф., Локализация электронов в тонких пленках сурьмы // ФНТ, 9,
100-103 (1983).
8. Komnik Yu.F., Bukhshtab
E.I., Butenko A.V., Andrievskii V.V., Separation of the electron localization and interaction in bismuth film resistance // Solid State Communs, 44,
865-867 (1982).
9. Комник Ю.Ф., Беркутов И.Б., Андриевский В.В. Спин-орбитальное взаимодействие в пленках висмута малой толщины // ФНТ, 31, 3-4, 429-435 (2005).
10.
Комник Ю.Ф.,
Андриевский В.В., Беркутов И.Б. Проявление спин-орбитального
взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле // ФНТ, 33,
1, 105-114 (2007).
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном электронном газе
· Проведено комплексное исследование электронных свойств монокристаллов Si, содержащих δ-слой с различной концентрацией атомов Sb. Исследованы эффекты слабой локализации, электрон-электронного [1] и электрон-фононного взаимодействия [2], а также эффекты, связанные с прыжковой проводимостью и нелинейные эффекты [3] в соответствии с концепцией слабой локализации и взаимодействия электронов в неупорядоченной 2D электронной системе [4].
· В двумерном дырочном газе в квантовых ямах Si1-xGex различного состава изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда [5-7]. Показано, что в изученных гетероструктурах наблюдается расщепление спиновых состояний под действием возмущающего потенциала (механизм Рашба) [8, 9]. Из сравнения затухания амплитуды осцилляций Шубникова-де Гааза при изменении температуры и приложенного электрического поля (перегрев носителей заряда) найдена температурная зависимость времени дырочно-фононной релаксации [10, 11, 12].
1. Каширин В.Ю.,
Комник Ю.Ф., Миронов O.A., Эмелеус Ч.Дж., Волл Т.Э. Особенности
электронных свойств δ <Sb>-слоев в
эпитаксиальном кремнии. II. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного
взаимодействия // ФНТ, 22, № 10, 1174-1185 (1996).
2. Каширин В.Ю., Комник Ю.Ф., Анопченко
А.С., Миронов O.A., Эмелеус Ч.Дж., Волл Т.Э. Особенности электронных
свойств δ <Sb>-слоев в эпитаксиальном
кремнии. III. Электрон-фононная релаксация // ФНТ, 23, № 4, 413-419
(1997).
3. Красовицкий Вит.Б., Комник Ю.Ф., Миронов
O.A., Эмелеус Ч.Дж., Волл Т.Э. Особенности электронных свойств
δ <Sb>-слоев в эпитаксиальном кремнии.
IV. Прыжковая проводимость и нелинейные эффекты // ФНТ, 24, № 3,
241-249 (1998).
4. Agan
S., Mironov O.A, Parker E.H.C., Whall T.E., Parry C.P., Kashirin
V.Yu., Komnik Y.F., Krasovitsky Vit.B., and Emeleus C.J. Low-temperature electron transport in Si with an
MBE-grown Sb δ
layer // Phys. Rev. B, 63, 075402 (2001).
5. Комник Ю.Ф., Андриевский В.В., Беркутов И.Б., Крячко С.С., Миронов М., Волл Т.Е. Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe
гетеропереходах // ФНТ, 26, № 8, 829 (2000).
6. Беркутов И.Б.,
Комник Ю.Ф., Андриевский В.В., Mironov O.A., Myronov M., and Leadley D.R.,
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном
дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe // ФНТ,
32, № 7, 896 (2006).
7.
Leadley D.R.,
Andrievskii V.V., Berkutov I.B., Komnik Y.F., Hackbarth T., Mironov O.A.
Quantum interference effects in p-Si1-xGex quantum wells // J. Low Temp.
Phys., 159, № 1/2, 230 (2010).
8. Андриевский В.В., Рожещенко А.Ю., Комник Ю.Ф., Миронов M., Волл T.E, Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si0.2Ge0.8 // ФНТ, 29, № 4, 424 (2003).
9. Andrievskii V.V., Berkutov I.B., Hackbarth T., Komnik Yu.F., Mironov O.A., Myronov M., Litvinov V.I., Whall T.E. Quantum interference and spin-splitting effects in Si1-xGex p-type quantum wells // NATO SCIENCE SERIES: II: Mathematics, Physics and Chemistry, 148, 1, 319 (2004).
10.
Андриевский В.В., Беркутов И.Б., Комник Ю.Ф., Миронов
О.А., Волл
Т.Е. Температурная зависимость времени электрон-фононного
рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах // ФНТ, 26,
№ 12, 1202 (2000).
11.
Berkutov I.B., Andrievskii V.V., Komnik Y.F., Mironov O.A. Study of overheating effects in SiGe-based p-type heterostructures: Methods of the hole temperature determination // Materialwissenschaft und Werkstofftechnik, 42, 1, 15-18 (2011).
12.
Berkutov I.B. Low Temperature Overheating Effect in SiGe p-Type Quantum Wells. Methods of the Hole–Phonon Energy Relaxation Time Determination // Acta Physica Polonica A, 119, 2, 228-230 (2011).