Основні напрямки досліджень

 

● Мікроконтактна спектроскопія електрон-квазічастинкової взаємодії  в рідкісноземельних нікельборокарбідах, високотемпературних

  і залізовмісних надпровідниках, топологічних матеріалах.

 

• Дослідження нерівноважних, нестаціонарних та теплових ефектів у провідності металевих наноконтактів.

 

• Виявлення та дослідження квантових ефектів у провідності 3-D наномістків.

 

• Виявлення та дослідження особливостей електронного транспорту в нанорозмірних контактах нормальний метал−феромагнетик та

   нормальний метал−феромагнетик−антиферомагнетик, пов’язаних з ефектами передачі електронного спінового моменту.

 

• Дослідження впливу режиму протікання струму, товщини феромагнітного шару, ефекту обмінного зміщення на ефект передачі

  спінового моменту в нанорозмірних контактах з феромагнетиком.

 

• Вивчення ефекту ВЧ опромінення та пошук резонансного поглинання електромагнітних ВЧ хвиль для вказаних структур.

 

 

Обладнання

 

Мікроконтактні спектрометри для дослідження нелінійної провідності контактів, оснащені кріогенним обладнанням для створення точкових контактів та вимірювання їх ВАХ, її першої та другої похідних у температурному інтервалі 0.8-77 K, магнітних полях 0-9 T та під дією НВЧ опромінення в діапазоні 4 - 65 ГГц.

 

 

Важливі результати за останні роки

 

• Мікроконтактні спектри ЕФВ Янсона (d2V/dI2) були виміряні вперше для вейлівського напівметалу MoTe2. Загалом, вони відповідають обчисленому фононному спектру [1].

 

• Мікроконтактні спектри ЕФВ Янсона були виміряні вперше для вейлівського напівметалу WTe2. Положення піків у спектра збігаються з розрахованими спектрами ЕФВ WTe2, хоча фонони з більшою енергією не спостерігаються в спектрах ТК. При великих напругах (>200 мВ) детектується широкий максимум на dV/dI, що вказує на зміну провідності від металевого до напівпровідникового типу. Останнє може бути викликано високою густиною струму (~108 A•см−2) в мікроконтакті та/або локальним нагріванням, що дозволяє маніпулювати квантовими електронними станами на інтерфейсі мікроконтакта [2].

 

• Виявлене резистивне перемикання в точкових контактах зі зміщенням напруги на основі телуридів ван-дер-ваальсових перехідних металів MeTe2 (Me = Mo, W) і TaMeTe4 (Me = Ru, Rh, Ir). Перемикання відбувається між станом металевого типу з низьким опором і станом напівпровідникового типу з високою резистивністю шляхом прикладення певної напруги зміщення (<1В).  Виникнення ефекту можна пояснити утворенням доменів з різною кристалічною структурою в ядрі точкового контакту внаслідок сильного електричного   поля (>10 кВ/см) [3].