Комник Юрий Федорович

Родился 29 января 1931 года в Украине, Запорожская область, г. Бердянск. Скончался 2 июня 2018 г. в г. Харькове.

По специальности – физик, область деятельности – экспериментальная физика.

Окончил Харьковский политехнический институт по специальности "Физика металлов" в 1956 году.

Доктор физико-математических наук (1975), профессор (1981), лауреат Государственной премии УССР в области науки и техники (1986).

После окончания вуза преподавал на кафедре физики Харьковского политехнического института, учился в аспирантуре. С 1964 по 2018 работал в Физико-техническом институте низких температур НАН Украины, с 1970 по 2002 – заведующий отделом электронных кинетических свойств металлов.

Основная научная деятельность была связана с изучением особенностей физических свойств металлов в тонких слоях, электронных кинетических и квантовых явлений в тонких пленках, неупорядоченных металлических системах и в низкоразмерных проводниках.

Опубликовал более 180 научных статей, несколько обзоров, является автором монографии "Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты", изданной в 1979 году, Атомиздат, Москва, 264 с.

Основные научные результаты и наиболее важные приоритетные публикации

1. Кинетика образования тонких пленок и фазовых переходов в малых частицах (Государственная премия Украины в области науки и техники, 1986):
- обнаружение эффекта смены механизма конденсации пар-кристалл на механизм пар-жидкость при температурах существенно ниже температуры плавления вещества (ДАН СССР, 124, 808 (1959); 126, 74 (1959));
- введение представлений о характерных температурах и диаграммах конденсации тонких пленок (ФТТ, 6, 2897 (1964));
- обнаружение размерной зависимости температуры плавления малых частиц и изменение в них периода кристаллической решетки (ФММ, 9, 374 (1960));

- изменение периодов решетки в островковых пленках (ФТТ, 6, 611 (1964); Thin Solid Films, 52, 313 (1978));

Отражено в монографии Ю.Ф. Комника "Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты", М. Атомиздат, 1979, 246с.

2. Квантовый размерный эффект в тонких пленках:
- квантово-размерные осцилляции проводимости пленок сурьмы  и висмута (ЖЭТФ, 54, 63 (1968));
- квантово-размерные осцилляции критической температуры сверхпроводимости пленок олова (Письма в ЖЭТФ, 8, 9 (1968); ЖЭТФ, 57, 1495 (1969); ЖЭТФ, 59, 740 (1970)); Thin Solid Films, 11, 43 (1972));
- квантовые осцилляции проводимости при изменении параметров энергетического спектра в пленках переменного состава висмут-сурьма (ФНТ, 1, 243 (1975); ФНТ, 3, 755 (1977); ФНТ, 4, 1257 (1978));
- обнаружение влияния поверхностного изгиба потенциала на спектр тонких пленок полуметаллов (ЖЭТФ, 60, 669 (1971); ФНТ, 1, 104 (1975); Thin Solid Films, 36, 204 (1976)).

3. Корреляция электронных свойств с координационной структурой аморфных пленок (низкотемпературные конденсаты висмута и галлия):
- низкотемпературная электронография и определение функций радиального распределения (Кристаллография, 18, 1263 (1973));
- связь проводимости с изменениями координационной структуры (ЖЭТФ, 63, 2226 (1972); Thin Solid Films, 21, 189 (1974));
- связь сверхпроводящих свойств с изменениями дисперсионных кривых квазифононных возбужений, определяемыми координационной структурой (ЖЭТФ, 65, 2459 (1973)).

4. Квантовые интерференционные эффекты в тонких пленках (слабая локализация и усиление электрон-электронного взаимодействия):
- обнаружение и изучение слабой локализации (антилокализации) в пленках висмута (ФНТ, 7, 1350 (1981); ФНТ, 9, 1171 (1983); J. Low Temp. Phys., 52, 315 (1983)) и сурьмы (ФНТ, 9, 100 (1983));
- метод разделения эффектов локализации и взаимодействия электронов (Solid State Communs., 44, 865 (1982));
- доказательство ослабления электрон-электронного взаимодействия в "грязном" пределе (Phys. Rev. B, 50, 15298 (1994); ФНТ, 20, 158 (1994); Phys. Rev. B, 58, 8079 (1998));
- поведение квантовых поправок в сильном электрическом поле (Phys. Rev. B, 50, 16845 (1994); ФНТ, 20, 1148 (1994); ФНТ, 20, 1256 (1994));

-  данные об электрон-фононном рассеянии в тонких пленках висмута (ФНТ, 19, с.410, 908 (1993)).

5. Электронный транспорт в гранулированных пленках и перколяционных системах:

- определение вероятностей рассеяния электонов на границах кристаллитов и внешних поверхностях пленок (J. Matter Science Lett., 62, 360 (1983); Thin Solid Films, 122, 1 (1984);

ФТТ, 26, 3274 (1984));

-  эффекты флуктуационного электрон-электронного взаимодействия в неупорядоченных пленках (ФНТ, 10, 850 (1984); J. Phys., 56 , 111 (1985));

-  переход металл-изолятор в гранулированных пленках, происходящий при усилении локализации электронов (ФНТ, 12, 821 (1986));
- эффект сверхпроводимости вблизи перехода металл-изолятор (J. Low Temp. Phys., 69, 401 (1987)) и возвратная сверхпроводимость (J. Low Temp. Phys., 75, 331 (1989));
- переход от сильной к слабой локализации под влиянием электрического поля (ФНТ, 23, 965 (1997));
- обнаружение гигантского отрицательного магнитосопротивления в режиме прыжковой проводимости (Physica B, 254, 260 (1998)).

6. Фокусировка электронов поперечным магнитным полем:
- определение характера междолинного рассеяния электронов на поверхности висмута (ФНТ, 11, 1148 (1985));

-  нелинейные эффекты при поперечной фокусировке электронов (ФНТ, 14, 253 (1988));

-  тонкая структура линий поперечной электронной фокусировки (ФНТ, 22, 1406, 1418 (1996));
- "циклотронная" спектроскопия электрон-фононной релаксации в микроконтакте (Письма в ЖЭТФ, 47, 103 (1988); ФНТ, 18, 513 (1992));
- вклад в проводимость приповерхностного слоя в условиях скинирования (ФНТ, 19, 1117 (1993); Surface Science, 331, 1181 (1995));

-  поверхностная энергетическая релаксация электронов в висмуте (ФНТ, 23, 307 (1997));
- дифракция электронного потока через микроконтакт (ФНТ, 22, 1406 (1996); Phys. Rev. B, 56, 4023 (1997)).

7. Электронный транспорт в двумерных электронных системах:
- возможный вариант объяснения высокотемпературных осцилляций магнитосопротивления висмута (ФНТ, 29, c.1231(2003));
- спин-орбитальные эффекты в пленках висмута в перпендикулярном (ФНТ, 31, c. 429 (2005)) и параллельном магнитном поле (ФНТ, 33, 105 (2007));
- эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей и эффект электронного перегрева в дельта-слоях сурьмы в кремнии (ФНТ, 22, c.1166; c.1174 (1996); ФНТ, 23, 413 (1997); ФНТ, 24, 241 (1998); Phys. Rev. B, 63, 075402 (2001));

- осцилляции Шубникова-де Гааза проводимости двумерного дырочного газа в квантовых ямах германия и кремния; определение эффективной массы, g-фактора и характеристик стенок квантовой ямы (ФНТ, 32, 109 (2006); ФНТ, 35, 188 (2009));

- сведения о дырочно-фононном взаимодействии в квантовых ямах Si1-хGeх, полученные с помощью эффекта перегрева (ФНТ, 34, 1192 (2008));

- наблюдение эффектов взаимодействия носителей заряда в двумерном газе в баллистическом режиме (ФНТ, 32, 896 (2006));

- эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовых ямах Ge и SiGe (J. Low Temp. Phys, 159, 230 (2010));
- положительное квазиклассическое магнитосопротивление двумерного газа в германиевой квантовой яме (ФНТ, 36, 1333 (2010));
- эффекты перегрева в кремний-германиевых гетероструктурах p-типа: методы определения эффективных масс носителей заряда // Mat.-wiss. u. Werkst of tech., 42, № 1, 15-19 (2011);
- максимум магнитосопротивления двумерного газа носителей заряда дырочного типа в области промежуточных магнитных полей // JLTP, v. 168, № 5-6, 285-291 (2012);
- изучение магнитотранспорта кремний-германиевых гетероструктур p-типа: проблемы определения эффективной массы.